Производитель Номер продукта:
TSM4N80CZ C0G
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM4N80CZ C0G-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220
Подробное описание:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 38.7W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
12949863
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM4N80CZ C0G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
955 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
38.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
TSM4N80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
TSM4N80CZ C0G-DG
TSM4N80CZC0G
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM1NB60CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
SIHFPS43N50K-GE3
MOSFET N-CH 500V SUPER-247
FCPF600N65S3R0L-F154
POWER SUPERFET MOSFET N-CHANNEL
